外媒深度解读：长鑫G5量产，重构全球DRAM竞争版图

9月20日，长鑫科技于世界制造业大会官宣第五代DRAM技术平台（G5 平台）正式量产。这条消息迅速刷屏海外产业舆论，诸多外媒把这次量产看作中国存储产业里程碑事件。路透社报道称，随着长鑫技术不断向前，中国诞生一位不容小觑的全球存储竞争者。

核心技术比肩全球顶尖，长鑫硬实力搅动海外产业舆论

长鑫官方资料显示，依靠四重曝光技术，内存阵列有源区半间距达到11.95纳米，距离全球顶级内存量产工艺已经非常接近，能效、成本两大维度显现竞争优势。依托G5平台的LPDDR5X单颗容量24Gb，相比上代提升50%，适配中高端手机、各类便携消费电子产品。这次技术突破引来国际媒体热烈讨论，行业机构认为长鑫已经拥有跟国际存储巨头硬碰硬的资本，全球存储行业格局存在改写可能性。

路透社指出，G5平台实现量产，意味着中国拥有了可以角逐全球市场的存储芯片力量，海外厂商垄断高端DRAM市场的现状迎来新变量。

韩媒观点更为直白：长鑫G5量产价值不在于新品本身，而在于中国存储手握规模、成本、本土供应链三张牌，正式跻身全球份额争夺战，成为左右市场走向的重要力量。

击碎海外技术刻板印象，封锁桎梏下闯出国产自研赛道

一直以来国际供应链壁垒、设备层面限制给国产高端存储研发制造不小阻碍。过去很多海外行业机构的看法十分悲观：一旦脱离海外技术设备供给，中国存储很难推进DRAM工艺持续微缩迭代，高端存储发展会陷入瓶颈。

G5平台落地，完成先进节点微缩、四重曝光、HKMG 一系列关键技术攻关，实实在在证明受限环境下国产高端存储制造路线行得通，推翻海外机构过往的消极预判，多家外媒将其视作半导体领域逆境突破的标杆。路透社特别提到，长鑫G5的进步发生在2022年出口管制加码之后，先进设备获取面临诸多约束。

韩国《首尔经济日报》撰文评价，长鑫走出差异化自主可控工艺研发道路，击碎 “中国无法完成高端DRAM 迭代”的固有认知，充分体现本土企业创新韧性。 按照国际媒体的预判，后续伴随G5产能释放、高端产品大规模落地，长鑫全球市场渗透率持续走高，中国存储在全球半导体产业的话语权也将进一步提升。